==================
Объект: NMOS
==================

Библиотека: Electronics
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^

Имя на уровне решателя: NMOS
-----------------------------------------------

Аннотация: MOSFET n-типа
-------------------------------------


Обозначение: |NMOS|
------------------------------
.. |NMOS| image:: ../../_image/Electronics.NMOS.png
   :alt: FIXed ME


Описание модели
=============================
.. include:: ../../../user_module_desc/Electronics.NMOS.desc.rst
   :parser: rst


.. csv-table:: **Порты (степени свободы) компонента:**
   :header: "№","Обозначение порта", "Тип", "Наименование порта"
   :widths: 10, 25, 10, 60

   "1","Port1", "base.DOF1", "Электрический порт 1 стока транзистора"
   "2","Port2", "base.DOF1", "Электрический порт 2 затвора транзистора"
   "3","Port3", "base.DOF1", "Электрический порт 3 истока транзистора"
   "4","Port4", "base.DOF1", "Электрический порт 4 подложки транзистора"


.. csv-table:: **Пользовательские параметры модели**
   :header: "№","Параметр", "Тип", "Описание", "Значение по умолч."
   :widths: 10, 25, 10, 60, 25

   "1","Beta", "base.real", "Параметр транскондуктивности, A/В^2", "0.041e-3"
   "2","K2", "base.real", "Параметр порогового значения подложки, B^1/2", "1.144"
   "3","K5", "base.real", "Уменьшение области отсечки, В", "0.7311"
   "4","L", "base.real", "Длина, м", "6e-6"
   "5","RDS", "base.real", "Сопротивление сток-исток, Ом", "1e7"
   "6","T", "base.real", "Фиксированная температура устройства, К", "293.15"
   "7","Vt", "base.real", "Пороговое напряжение нулевого смещения, В", "0.8"
   "8","W", "base.real", "Ширина, м", "20e-6"
   "9","dL", "base.real", "Укорачивание канала, м", "-1.5e-6"
   "10","dW", "base.real", "Сужение канала, м", "-2.5e-6"