Объект: NPNVT

Библиотека: Electronics

**Порты (степени свободы) компонента:**
№	Обозначение порта	Тип	Наименование порта
1	Port1	base.DOF1	Электрический порт 1 базы транзистора
2	Port2	base.DOF1	Электрический порт 2 коллектора транзистора
3	Port3	base.DOF1	Электрический порт 3 эммитера транзистора

**Пользовательские параметры модели**
№	Параметр	Тип	Описание	Значение по умолч.
1	Bf	base.real	Прямой коэффициент передачи тока	50
2	Br	base.real	Обратный коэффициент передачи тока	0.1
3	Ccs	base.real	Ёмкость коллектор-подложка(земля), Ф	1e-12
4	Cjc	base.real	Начальная барьерная ёмкость база-коллектор, Ф	0.5e-12
5	Cje	base.real	Начальная барьерная ёмкость база-эмиттер, Ф	0.4e-12
6	Gbc	base.real	Проводимость базы-коллектор, 1/Ом	1e-15
7	Gbe	base.real	Проводимость базы-эмиттер, 1/Ом	1e-15
8	Is	base.real	Ток насыщения, А	1e-16
9	Mc	base.real	Показатель градации база-коллектор	0.333
10	Me	base.real	Показатель градации база-эмиттер	0.4
11	Phic	base.real	Диффузионное напряжение база-эмиттер, В	0.8
12	Tauf	base.real	Идеальное время прямого перемещения, с	0.12e-9
13	Taur	base.real	Идеальное время обратного перемещения, с	5e-9
14	Vak	base.real	Напряжение Эрли (обратное), 1/В	0.02
15	Vt	base.real	Напряжение, эквивалентное температуре, В	0.02585