Объект: NMOS

Библиотека: Electronics

**Порты (степени свободы) компонента:**
№	Обозначение порта	Тип	Наименование порта
1	Port1	base.DOF1	Электрический порт 1 стока транзистора
2	Port2	base.DOF1	Электрический порт 2 затвора транзистора
3	Port3	base.DOF1	Электрический порт 3 истока транзистора
4	Port4	base.DOF1	Электрический порт 4 подложки транзистора

**Пользовательские параметры модели**
№	Параметр	Тип	Описание	Значение по умолч.
1	Beta	base.real	Параметр транскондуктивности, A/В^2	0.041e-3
2	K2	base.real	Параметр порогового значения подложки, B^1/2	1.144
3	K5	base.real	Уменьшение области отсечки, В	0.7311
4	L	base.real	Длина, м	6e-6
5	RDS	base.real	Сопротивление сток-исток, Ом	1e7
6	T	base.real	Фиксированная температура устройства, К	293.15
7	Vt	base.real	Пороговое напряжение нулевого смещения, В	0.8
8	W	base.real	Ширина, м	20e-6
9	dL	base.real	Укорачивание канала, м	-1.5e-6
10	dW	base.real	Сужение канала, м	-2.5e-6